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An improved analytical model for the current–voltage(I–V) characteristics of the 4H-SiC metal semiconductor field effe......

采用湿法技术发展了磷化铟MMIC的背面通孔刻蚀工艺，PMMA用作粘片剂，InP衬底粘附于玻璃版上，溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜，HCl+H3PO4腐蚀液......